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澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統,是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現低溫電學測量或全溫區測量功能。
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澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統,是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現低溫電學測量或全溫區測量功能。
性能指標
透射電子顯微鏡指標:
● 兼容指*型號電鏡及極靴;
● 單傾可選高傾角版本;
● 可選雙傾版本,β角傾轉±25°(同時受限于極靴);
● 測量電極數可選。
電學測量指標:
● 包含一個電流電壓測試單元;
● 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;
● 電流測量最大±1.5 A,最小100 fA;
● 恒壓或者恒流模式;
● 自動電流-電壓(I-V)測量、電流-時間(I-t)測量,自動保存。
低溫指標:
● 兼容MEMS加熱及電學芯片;
● 全溫區測量,溫度范圍:85 K- 380 K;
● 控溫穩定性:優于±0.1 K;
● 溫度連續可控。